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标题 |
PDF |
更新日期 |
| 高频硅器件 |
General |
Characteristics for Thermal Silicon Compound "ShinEtsu G746" |
ANGEN001B
 (62KB)
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2012年2月 |
| Precautions and Recommendations for Mitsubishi Electric Silicon RF Power
Devices
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ANGEN006G
(62KB)
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2012年2月 |
| Reliability concept for standard of Silicon RF Products |
ANGEN030E
(62KB)
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2012年2月 |
| Precaution for HPM series PKG & Recommended assembly method |
ANGEN070
(82KB)
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2012年2月 |
| Si Module |
Electro Static Sensitivity for RF Power Module RA-series |
| ANGEN026H |
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(26KB) |
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2012年2月 |
| Recommendation of Thermal Compound Applying Method for RA series RoHS
Compliance Products
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| ANGEN042D |
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(26KB) |
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2012年2月 |
| RA-series (H2S/H2M Outline) Test Fixture |
| ANGEN062B |
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(354KB) |
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2012年2月 |
| Electro Static Sensitivity for RA60H4452M1 and RA60H4047M1 |
| ANUHF078B |
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(127KB) |
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2012年2月 |
| Electro Static Sensitivity for RA30H4552M1 and RA30H4047M1 |
| ANUHF083D |
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(207KB) |
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2012年2月 |
| Recommendation of the output power control for RA45H7687M1 |
| AN900026B |
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(9KB) |
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2012年2月 |
| AM-AM, AM-PM and Vgg2-PM for RA45H8994M1 and RA45H7687M1 |
| AN900027B |
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(113KB) |
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2012年2月 |
| Si Discrete |
Test result of surge tolerance for RD-series |
| ANGEN038B |
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(723KB) |
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2012年2月 |
| Recommended mounted & precaution for RD07&RD02 series with SLP
Package
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| ANGEN034E |
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(47KB) |
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2012年2月 |
| RD02MUS1B single-stage amplifier RF performance at f=400-470MHz,Vdd=7.2V |
| ANUHF108A |
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(55KB) |
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2012年2月 |
| RD00HVS1 & RD02MUS1B 2-stage amplifier RF performance at
f=135-175MHz,Vdd=7.2/6.5V
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| ANVHF050 |
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(516KB) |
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2012年2月 |
| RD00HVS1 RF characteristics data at f=150-162MHz,Vdd=7.2V |
| ANVHF036A |
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(1.47MB) |
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2012年2月 |
| RD00HVS1 RF characteristics data at f=450-470MHz,Vdd=7.2V |
| ANUHF076A |
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(1.36MB) |
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2012年2月 |
| RD01MUS1 RF Characteristics Vdd=3.6/4.5/7.2V data |
| ANUHF060A |
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(206KB) |
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2012年2月 |
| RD01MUS2 Single-Stage amplifier RF performance at f=450-527MHz,Vdd=7.2V |
| ANUHF087A |
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(370KB) |
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2012年2月 |
| RD07MUS2B single-stage amplifier RF performance at f=135-175MHz,Vdd=7.2V |
| ANVHF047A |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD07MUS2B single-stage amplifier efficiency matching RF performance at
f=450-527MHz,Vdd=7.2V
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| ANUHF096A |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD07MUS2B single-stage amplifier efficiency matching RF performance at
f=400-470MHz,Vdd=7.2V
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| ANUHF098B |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD01MUS2 & RD07MUS2B RF characteristic data at f=400-470 MHz,Vdd=7.2V |
| ANUHF097C |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD07MUS2B TETRA single-stage amplifier at f=380-430MHz,Vdd=7.2V |
| ANUHF105A |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD07MUS2B TETRA single-stage amplifier at f=350-400MHz,Vdd=7.2V |
| ANUHF106A |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD07MUS2B single-stage amplifier RF performance at f=763-870MHz,Vdd=7.2V |
| AN900039A |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD01MUS1 & RD07MUS2B 2-Stage amplifier RF performance at
f=763-870MHz,Vdd=7.2V
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| AN900040A |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD07MUS2B TETRA single-stage amplifier at f=800-870MHz,Vdd=3.6V |
| AN900041A |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD05MMP1 Single-Stage amplifier RF performance at f=800-900MHz,Vdd=7.2V |
| AN900030A |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD09MUP2 single-stage amplifier RF performance at f=400-527MHz,Vdd=7.2V |
| ANUHF072C |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD12MVP1 single-stage amplifier RF characteristics data at
f=135-175MHz,Vdd=7.2V
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| ANVHF034C |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD04HMS2 single-stage amplifier with f=135-175MHz evaluation board |
| ANVHF051B |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD04HMS2 single-stage amplifier with f=380-470MHz evaluation board |
| ANUHF114A |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD04HMS2 single-stage amplifier with f=890-950MHz evaluation board |
| AN900043A |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD35HUF2 single-stage amplifier with f=135-175MHz evaluation board |
| ANVHF048 |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD70HUF2 single-stage amplifier with f=135-175MHz evaluation board |
| ANVHF049 |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD35HUF2 single-stage amplifier with f=450-530MHz evaluation board |
| ANUHF112 |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD70HUF2 single-stage amplifier with f=450-530MHz evaluation board |
| ANUHF113 |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD04HMS2 & RD70HUF2 two-stage amplifier at f=380-470MHz,Vdd=12.5V |
| ANUHF122 |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD35HUF2 single-stage amplifier with f=380-430MHz evaluation board |
| ANUHF127 |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD01MUS2 & RD07MUS2B RF characteristics data at135 to 175MHz. (Vdd=7.2V)
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| ANVHF053A |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD00HVS1 & RD02MUS1B 2-stage amplifier RF performance at f=400-470MHz,
Vdd=7.2V(improved stability versions)
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| ANUHF125 |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD04HMS2 & RD70HUF2 two-stage amplifier at f=450-530MHz.(Vdd=12.5V) |
| ANUHF128 |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD04HMS2 & RD70HUF2 two-stage amplifier at f=330-400MHz.(Vdd=12.5V) |
| ANUHF130 |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD01MUS2B single-stage amplifier with f=135-175MHz evaluation board |
| ANVHF055 |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD01MUS2B & RD07MUS2B TETRA 2stage amplifier RF characteristics data |
| ANUHF129 |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD01MUS1,RD07MUS2B TETRA 2stage amplifier RF characteristics data
(f=800-870MHz)
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| AN900045 |
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(234KB) |
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2012年2月 |
| RD01MUS2B single-stage amplifier with f=890-941MHz evaluation board |
| AN900046 |
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(950KB) |
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2012年2月 |
| GaAs高频器件 |
L/N General |
Recommended assemble method for MITSUBISHI's 4-pin flat lead packaged device
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| QL1079E-D |
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(215KB) |
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2012年2月 |
| Recommended assembling method and general notes for plastic μ-X package GaAs
FET
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| QL1097E-B |
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(389KB) |
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2012年2月 |
| Recommended assemble method for MITSUBISHI's leadless packaged devices |
| QL1105E-B |
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(523KB) |
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2012年2月 |
| Marking manner of MITSUBISHI GaAs FET |
| QL1104E-B |
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(250KB) |
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2012年2月 |
