适用于各种用途的SiC-SBD
| 应用 | 产品名称 | 型号 | 额定值 | 封装 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 电压[V] | 电流[A] | ||||
| 家电 工业 |
SiC-SBD | BD20060T | 600 | 20 | TO-220-2L |
| BD20060S★★ | TO-247-3L | ||||
| BD20060A★★ | TO-263S-3L | ||||
| BD10120S★★ | 1200 | 10 | TO-247-3L | ||
| BD20120S★★ | 20 | ||||
| 汽车 | BD20120SJ★★ | ||||
★★ Under development
有着优异特性的碳化硅
借助JBS结构，实现高度可靠
通过采用将pn结和肖特基结合为一体的JBS结构，实现了高耐浪涌能力。低损耗、高度可靠的SBD有助于电源系统向低功耗、小型化方向发展。
JBS : Junction Barrier Shottky
高温操作
在温度升高时，电子会向导带转移，漏电流增加，导致无法正常运行。 碳化硅的禁带宽度约为单晶硅的三倍，即使在高温时漏电流的增加也很小，可以确保高温下运行。
高速的开关操作
碳化硅在具有高强度绝缘击穿电场降低电能损耗的同时，也容易实现耐高压，所以可以采用单晶硅无法实现的肖特基势垒二极管(SBD)(Schottky Barrier Diode)。 由于SBD没有载流子积累，最终帮助实现高速的开关动作。
优异的散热效果
碳化硅的热传导率约为单晶硅的三倍，有效提高了散热能力。
主要用途
空调、光伏发电、充电基础设施、车载充电器等的电源系统特点
*与本公司配置Si二极管的功率率半导体模块DIPPFC™产品相比
内部模块图
功率损耗比较*
*与本公司搭载有功率半导体模块DIPPFC™的Si二极管产品相比