概要
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)模块是所有工业设备变频化必需的元器件, 从20世纪90年代产品化开始,该产品就向着大电流、耐高压方向发展。 此外,其产品芯片结构从平面栅极结构发展为沟槽栅极结构,并且凭借CSTBT?结构(本公司运用载流子储存效应研发的IGBT) ,满足了工业设备低损耗、小型化的要求。从第5代IGBT开始,本公司产品阵营除了包含传统外观的标准(std)型产品, 还增加了薄型外观(NX型)的复合型*1产品。 除此以外,公司产品线中的新成员还有S系列(第6代IGBT)和功率损耗更低且尺寸更小的T/T1系列(第7代IGBT)产品。*1:1个封装件中内置逆变器、三相整流器和制动器回路
特性参数表
请您参照 IGBT模块 特性参数表主要用途
通用变频器、伺服驱动器、逆变电源、太阳能发电、风力发电、CT、MRI、诱导加热应用设备New Products
T/T1系列
*: 1 CSTBT?:本公司利用载流子储存效应研发的IGBT
*: 2 RFC: Relaxed Field of cathode
*: 3 PC-TIM: Phase Change - thermal Interface Material,相变热界面材料

采用新型结构,可靠性提高(热循环寿命提高)

匹配压配合端子(NX型)

Featured Products
3级变频器用功率模块

*: 1 搭载本产品的3电平逆变器与搭载本公司已有产品的2电平逆变器相比
*: 2 1in1/2in1产品的外型尺寸为130mm×67mm,4in1型外型尺寸为115mm×82mm,端子位置精心设计
*: 3 按照3电平逆变器的要求,对采用本公司CSTBT?(本公司利用载流子蓄电效果开发的IGBT)结构的IGBT规格进行优化
*: 4 4in1模块将3电平逆变器所需的1相结构封装在一个器件内
*: 5 共射连接的双向开关模块
内部电路图
